我公司主要生产太阳能用硅制品、单晶硅片、多晶硅片等。

现寻求低光衰、高电阻分布均匀度的两元/三元共掺技术，要求利用B-Ga或者B-P-Ga三元共掺技术，获得低光衰、高电阻分布均匀度的高效多晶硅片，具体技术指标如下：

（1）利用两元/三元共掺技术，利用PREC工艺电池光衰≤1.5％；

（2）硅片整锭电阻要求控制在1~2Ω·cm，其中1~1.8Ω·cm硅片占80％以上；

（3）利用PREC工艺，整点光电转换效率≥20％

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