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- 验收、付款(收款)
- 评价、结束
项目预算 面议
需求内容:
1、 两种晶向(111)和(100)的硅片在腐蚀岗位,(100)晶向的为何更易出沾污(在腐蚀工序前,清洗工艺完全一样)?
2、 硅片背面做多晶,弯/翘曲为何会增大30至50μm?通过氧化炉1100℃热处理20至30S,弯/翘曲就会恢复到背封前水平,硅片经过这一高温短暂过程,是否会对硅片晶体有影响?
目前此问题上一直没有得到比较好的解决,希望能够得到更好的技术支持。
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