要求应用超薄（低于5纳米）无掺杂的无定形硅原子层来钝化太阳能硅表面，同时要求无任何等离子体轰击导致的表面晶格破坏与损伤。

    由于这一气相化学反应会用到高频率的射频波，这一因素会导致带电自由基在向硅片底才移动的过程中，在电场的作用下，产生轰击效应，从而导致破坏（Damage）底才硅表面的结构，从而导致开路电压的损失与下降。

    所以在如何最大限度的降低自由基对硅片底才的轰击的同时，均匀的沉积这层无定形硅原子，将是一个极大的挑战。寻求行业技术专家给予提供技术支持。