（1）技术研发现状

目前国内正银浆绝大部分依赖进口，国产正银浆性能有较大提升空间，主要是低掺杂浓度硅基片上的电阻偏大；国产正银浆使用进口玻璃粉受到多种限制；国内公司自行设计开发的玻璃粉用于正银浆研发，性能较进口产品仍有较大差距。主要表现在玻璃料烧结后对硅基体腐蚀过多，且在银电极内部导电性能差。

（2）需要解决的关键技术问题

烧结过程对硅基体腐蚀能力受控（800℃5S烧结后，能烧蚀氮化硅减反射膜，但对硅基体无明显烧蚀）

玻璃料自身有导电性或溶解银的能力强，能够在银电极和硅基体之间形成良好导电连接（需要建立测试方法）

对银的浸润性好，能够促进银粉烧结

（3）主要技术指标

玻璃粉粒径小于1μm，Tg玻璃化温度450~550℃，Tf软化点500~700℃。

玻璃料（或与无机助剂烧结后）呈半导体性质或与银粉相互烧结后成膜导电性高（高于进口玻璃粉）。

（4）产业化应用前景

正银浆国内市场容量超过40亿，全球超过79亿。该玻璃粉产品应用到正银浆产品中，能够明显提升国产正银浆性能和研发水平。正银浆替代进口产品能够缩短国内光伏企业采购周期和生产成本，并能够为公司和国家节约大量外汇。联合开发或成果引进