我公司是一家专业从事功率半导体器件制造的高新技术企业。

      现需要研发开路失效模式的功率半导体保护器件。

      技术指标：

      1、TSS 与 TVS 保护器件，应用中失效模式为电压击穿或电流烧毁，表现 为器件两端短路，本项目需求为在 TSS 与 TVS 制造工艺或产品设计中引入非 常规技术，使器件在使用环境中，电压击穿或电流烧毁时使器件表现出开路 的失效结果。

      2、不采用 TSS 与 TVS 芯片与保险丝组合封装的技术方案。

      3、不明显增加制造成本。

      欢迎相关专家和技术单位联系我们开展技术合作，费用面议。