我公司希望开发出可控硅生产中快速P型深结选择性扩散技术，提高产品质量，降低生产成本。寻求科研院所专家与我们合作开发。

    背景介绍：

    我公司可控硅的生产需要做隔离穿透扩散，用氧化层做掩蔽膜，通过液态硼源掺杂，再把结推至120um左右深度，温度需要1275--1280℃，时间为7-8天。高温长时间的扩散大大降低了少子寿命，导致电压变低，且易产生缺陷，大大影响了合格率。

    国内目前比较先进的工艺方法是铝扩散，选择性方法采用大速流离子注入，用氧化层和光刻胶屏蔽，但此方法设备昂贵，成本很高。