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晶圆表面清洗技术

项目编号:XP387C0D2713

项目状态:结束

项目分类: 电池

所在地:浙江 / 绍兴

需求内容:

       要求表面无污染杂质粒子,以及任何化学物质残留。因为任何在硅片表面的脏污,杂质,残留,都将影响PN结的健康性,而异质结太阳能电池对硅片表面的清洁度要求较常规的扩散结太阳能电池高,如果表面不够清洁,将大大降低异质结太阳能电池的开路电压(Uoc)。而太阳能电池的开路电压(Uoc),直接相关于温度效应系数(Temp coeff)。电压越低,温度效应系数越差,损失的发电量就越多。目前的主流晶硅电池模组,无论单晶硅,还是多晶硅,温度效应系数一般都在 -0.45 ~ -0.40% /度 左右。也就是说,当模组温度在45度左右的时候,太阳能模组的实际的发电量,将比模组标定发电量(室温状况下)直接下降将近10%。换句话说,温度提高20度,相当于太阳能电池模组的标定转化效率下降约10%,这是一个惊人的损失,相当于单晶硅太阳能电池的转化效率直接从19% 下降到接近17%的水平。

       目前常规的太阳能电池表面清洁技术有很大的局限性。因为在太阳能电池的切割,以及表面制绒过程中,大量的使用到一些有机化学溶剂,这些溶剂在绒面形成后,易于集结在不同晶相之间的沟槽中,非常难于被移除。这就对清洗设备,以及清洗工艺带来了非常大的挑战。寻求行业技术专家给予提供技术支持。