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项目预算 面议
需求内容:
高品质的单晶硅对于其应用性能至关重要,通过优化生长条件、改进生长工艺等方式提高单晶硅的晶体品质,提升电池转换效率是当前面临的重要技术问题。
寻技术专家展开合作,达成如下技术指标:
1)氧含量 ≤ 9ppma;
2)少子衰减由15%降至10%;
3)后端同心圆比例由0.05%降低至0.01%。
4)减少氧反切损耗、提升产量和电池转换效率。
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