技术简介
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工作频率/ GHz |
输出功率 / W |
功率增益/ dB |
效率 / % |
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典型值 |
最低值 |
典型值 |
最低值 |
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1.8-2.1 |
250 |
16 |
14 |
52 |
50 |
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2.3-2.7 |
250 |
16 |
14 |
52 |
50 |
技术特点
采用国产SiC衬底材料，基于现有的0.35um和0.5um的GaN基线工艺平台，进行工艺集成和可靠性提升，研制出2G/3G/4G移动通信用的宽带多频段和高效大功率GaN射频功放管，建立自动化测试平台，完成模块级和LTE系统级应用验证。形成从材料、工艺、设计、封装、测试、可靠性到系统应用的国产化技术链和产业链。
本项目产品可用于2G/3G/4G的移动通信基站，为以后的产业化打下良好的产品技术基础。本项目的技术成果也可作为将来5G移动通信系统的器件研发和系统应用的重要基础。
