项目简介
该成果采用国际通用的半导体器件仿真软件SentAurus，通过调整和优化工艺流程，即调整LDD和Pocket步骤，以及形成器件沟道的工艺步骤，从而达到了项目所预定的指标。仿真中还对衬底电压等关键参数进行了优化。Sentaurus TCAD 软件仿真结果表明：在有光编程和无光情况下阈值电压差为2.57V，远高于项目立项时预期的0.3－0.5V。
根据设计的探测器结构和工艺流程，按照流片的实际工艺用Sentaurus TCAD软件建立起二维工艺仿真的平台，完成探测器的工艺仿真，保证由工艺仿真后得到的器件达到了预定技术要求：具有LDD与浮栅交叠少，有效控制浮栅漏电流；体内P型层包源漏区好，能有效收集光电子。
