高压驱动电路模块

技术成果简介

（1）高分辨率荫罩式PDP列驱动芯片：本成果主要是设计出了基于体硅工艺的PDP高压列驱动芯片，该芯片具有低成本、高频率、高可靠性、低功耗等优点。该芯片的工作频率在20MHz以上，上升时间为40ns，下降时间为50ns。芯片的END能力为4000KeV。芯片具有抗LATCHUP的能力，同时基于该芯片还开发设计了列驱动模块，该模块具有183路高压输出。3路信号输入。该模块采用高密度柔性PCB封装。

（2）高分辨率荫罩式PDP行驱动芯片：本成果主要是设计出了基于体硅工艺的PDP高压行驱动芯片，该芯片具有低成本、高频率、高可靠性、低功耗等优点，特别是抗大电流扰动能力强，输出端能够耐受180伏电压。该芯片的工作频率在20MHz以上，上升时间为30ns,下降时间为10ns。芯片的ESD能力为4000KeV。芯片具有抗LATCHUP的能力。该芯片具有96路高压输出，1路信号输入。该行芯片成功应用于25寸高分辨率荫罩式PDP 系统。

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