高端激光器芯片及封装应用产业化，寻求融资

技术简介

量子阱半导体激光器具备电光转换效率高、光谱纯度好、体积小、可靠性高等优点，在激光高能武器、激光制导、激光测距、红外对抗等军事领域以及激光切割、激光涂覆、激光印刷、激光医疗、光通讯、红外安防等领域都有广泛应用。

中国电科十三所早在上世纪80年代就开发了第一支室温工作红外半导体激光器。目前已形成包括材料生长、芯片制作、载体加工、封装测试等完整的半导体激光器设计制作技术平台，拥有多项科技成果及专利。主要技术水平达到国内领先水平，部分技术达到国际先进水平。
材料技术：采用MOCVD（金属有机物化学汽相沉积）外延工艺及MBE（分子束外延）外延工艺生长高质量的3英寸GaAs基、InP基量子阱激光器材料。其中应变量子阱大光腔激光器材料、隧道级联量子阱激光器材料、窄发散角光通讯量子阱激光器材料技术指标达到国际先进水平。
芯片技术：拥有一条3英寸光电芯片工艺线，具备大功率多模芯片、大功率单模芯片、通讯用单模芯片的设计加工技术。大功率激光器芯片腔面钝化镀膜技术处于国内领先水平。
载体封装技术：大功率激光器封装工艺（含载体制作）以及光通讯器件及组件封装工艺，包括载体制作、焊料制作、高精度组装等技术。

技术特点

十三所激光器技术为全自主技术，外延片、芯片、载体可以根据用户需求专门设计制作，可以实现激光器波长、光束质量、外部接口更适合用户需求。典型产品技术指标全面达到进口产品水平，可以实现快速替代；自主设计制作，不受进口限制，生产周期短，性价比高。

具体技术特点包括：
3英寸外延及圆片工艺，兼顾均匀性及量产成本控制，激光器片内波长均匀性可控制在±1nm以内，芯片成品率大于90% 。
成熟的材料外延技术：MOCVD外延工艺、MBE外延工艺配合使用，可以实现腐蚀停止层外延、扩展波导外延、级联隧道结外延、二次外延等，满足InP基、GaAs基各种激光器材料高质量外延。
高效率、高可靠的芯片技术：基于外延材料、封装结构的综合芯片结构设计技术，使得激光器在工作点具备最佳的电光转换效率。特有的腔面结构设计辅助专有的腔面钝化镀膜技术，可以实现各种芯片高抗烧毁特性。
全面的封装技术：具备高精度低热阻载体热沉制作技术、各种软硬焊料制作技术、低应力封装工艺、高精度组装技术，设计积累了大量具有专利保护的专用工装夹具，能够实现各种高端器件的封装。

技术指标

针对民用方面，可提供以下技术指标、产品与生产研发技术：

（1）大功率激光器
波长：780nm～1060nm
工作模式：连续、准连续、脉冲
功率：50mW～500mW（单模）
200mW～8W（连续单管）
15W～300W（脉冲单管）
20W～48000W（阵列模块）
电光转换效率：≥50%（780nm～900nm）
≥60%（900nm～1060nm）
光输出方式：直接输出/整形输出/光纤输出
工作寿命：≥20000小时（连续单管）
≥5000小时（连续阵列）
≥1E10脉冲（脉冲器件）
工作环境温度：-40℃～+70℃
（2）通讯用激光器
波长： 1310nm～1550nm
功率：6mW、8mW、10mW
电光转换效率：≥30%
速率：155Mbps、1.25Gbps、2.5Gbps、10Gbps
工作寿命：≥200000小时
工作环境温度：-40℃～+85℃

技术水平

国内领先

可应用领域和范围

激光加工：激光打标、激光焊接、激光涂覆、激光印刷等。
光通讯行业：光发射器件、光收发模块等。
激光医疗、红外照明、激光测距等。

专利状态

已取得专利11项

技术状态

小批量生产、工程应用阶段

合作方式

融资需求

投入需求

5100万元