高性能功率VDMOS/IGBT晶体管批量生产【寻求融资】

技术简介

功率VDMOS场效应晶体管是新一代大功率半导体器件，其主要优点是开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好。

功率MOS晶体管一般用作开关电源或电机控制器的主开关器件。电源是任何电子装置中必不可少的组成部分。因此，新型功率MOS晶体管是高新设备中非常重要的基础器件，对电源系统小型化、高性能化而言是必不可少的；对提高整机的性能具有十分重要的、普遍的意义。

迄今，我国民用功率MOS晶体管依然主要依靠进口，批量生产的技术平台没有得到很好的建立。已经影响到电力电子行业，尤其是汽车电子、电力传动、动力电能转换设备的性能提升。因此，实现功率MOS晶体管军转民的产业化，对打破国外技术垄断、实现自主创新，建立节约型社会、实现国民经济可持续发展等均具有十分重要的意义。

技术特点

功率MOS晶体管是场控多子器件具备开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽的特点。

技术指标

技术水平

国际先进

应用领域和范围

电力电子行业，包含：汽车电子、电力传动、逆变等。

专利状态

已取得专利3项

技术状态

批量生产、成熟应用阶段

合作方式

融资需求

投入需求

500万元

转化周期

1年

预期效益

MOS 功率器件因其性能先进，又具有明显的节能、功能驱动作用，在绿色电源、通信及计算机电源、变频调速、感应加热、新型家电、电动交通工具等领域都有巨大的应用前景。

受到下游电子制造业快速发展的影响，2004 年到2008年中国MOS市场快速增长，2008年，中国MOS 市场需求量为198.2亿个，比2007 年增长了11.9%，市场需求额为237.0 亿元，比2007 年增长10.9%。

2009年功率MOS市场销售收入的主要来源是三个领域：数据处理占销售收入的41%，消费电子占25%，通信占23%。2010年通讯领域，创造了6.17亿美元的功率MOS销售收入，高于2009年的3.65亿美元。消费电子2010年创造5.7亿美元的功率MOS销售收入。2010年汽车市场创造1.01亿美元的功率MOS销售收入，比2009年劲增64%。

2010年中国功率MOS市场快速增长，销售额达到23亿美元，比2009年的16亿美元增长43%。功率MOS在2010年多数时间都处于供应不足局面，难以满足中国各行业的需求，包括本地数据处理、消费与通信领域。

2010-2015年增长速度约为12%，市场的总体复合年度增长率将为13.7%，笔记本将是推动增长的主要因素。凭借着较快的市场增长率以及广阔的市场发展空间，MOS管成为中国分立功率器件市场发展亮点。