要求的技术指标为：

   CeO2含量≥99.9％，晶粒尺寸≤10nm，形貌：球形：抛光液粒度D50=10nm～300nm，Dmax＜500nm，有害杂质离子浓度＜40ppm，硅晶片抛光速度≥100nm/min，表面粗糙度Ra≤1nm，高性能玻璃基片抛光速度≥25nm/min，表面粗糙度Ra≤0.5nm，达到或接近国外先进水平。

可技术购买，也可合作开发。