太阳能电池片的髙方阻发射结的扩散方阻窗口基本在80-100Ω/口，我公司现有成熟工艺的方阻值达到了90-100Ω/口。在高方阻发射结（掺杂很轻的硅，表面电导率低）形成良好的欧姆接触是很困难的，加之结深太浅以及结深的差异性使得烧穿PN结降低并联电阻的概率大大提高。

    我们寻求有实力的科研院所开展技术合作。