需求一：

P型硅偏移深度的检测方法：

我公司主要生产多晶硅太阳能电池片，现由于技术原因寻求能够快速测出P型硅偏移深度的解决方案。

需求二：

模拟多层膜厚度的方法：

我公司现由于技术原因多层膜的致密性有差异，寻求技术方案把每层膜的厚度都模拟出来。目前膜厚为20纳米左右，第二层为63纳米左右。